ON Semiconductor - FDD7N60NZTM

KEY Part #: K6403372

FDD7N60NZTM 価格設定(USD) [144590個在庫]

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品番:
FDD7N60NZTM
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD7N60NZTM 製品の属性

品番 : FDD7N60NZTM
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
シリーズ : UniFET-II™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 730pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 90W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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