RJK0353DPA-01#J0B 価格設定（USD） [1621個在庫]
- 2,500 pcs$0.17663
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJK0353DPA-01#J0B electronic components. RJK0353DPA-01#J0B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0353DPA-01#J0B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJK0353DPA-01#J0B 製品の属性
品番 :
RJK0353DPA-01#J0B
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
35A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2180pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
40W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-WPAK
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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