ON Semiconductor - FDMS86581-F085

KEY Part #: K6416153

FDMS86581-F085 価格設定(USD) [239086個在庫]

  • 1 pcs$0.15470

品番:
FDMS86581-F085
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86581-F085 製品の属性

品番 : FDMS86581-F085
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 881pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 50W (Tj)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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