Infineon Technologies - IPD60R750E6ATMA1

KEY Part #: K6402423

IPD60R750E6ATMA1 価格設定(USD) [8789個在庫]

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品番:
IPD60R750E6ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R750E6ATMA1 製品の属性

品番 : IPD60R750E6ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
シリーズ : CoolMOS™ E6
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 750 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 170µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17.2nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 373pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 48W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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