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- 品番:
- NDBA180N10BT4H
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 180A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NDBA180N10BT4H electronic components. NDBA180N10BT4H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDBA180N10BT4H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDBA180N10BT4H 製品の属性
品番 :
NDBA180N10BT4H
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
180A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V, 15V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.8 mOhm @ 50A, 15V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6950pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
200W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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