IPB60R190P6ATMA1 価格設定（USD） [8794個在庫]
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- 品番:
- IPB60R190P6ATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V TO263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
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- We specialize in Infineon Technologies IPB60R190P6ATMA1 electronic components. IPB60R190P6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R190P6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB60R190P6ATMA1 製品の属性
品番 :
IPB60R190P6ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V TO263-3
シリーズ :
CoolMOS™ P6
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
190 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 630µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1750pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
151W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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