IXFP4N100P 価格設定（USD） [41564個在庫]
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- 50 pcs$1.08188
- 品番:
- IXFP4N100P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFP4N100P electronic components. IXFP4N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP4N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFP4N100P 製品の属性
品番 :
IXFP4N100P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
シリーズ :
HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1456pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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