ON Semiconductor - NVMFS6B75NLWFT3G

KEY Part #: K6401362

NVMFS6B75NLWFT3G 価格設定(USD) [8826個在庫]

  • 5,000 pcs$0.20252

品番:
NVMFS6B75NLWFT3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS6B75NLWFT3G electronic components. NVMFS6B75NLWFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6B75NLWFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6B75NLWFT3G 製品の属性

品番 : NVMFS6B75NLWFT3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Ta), 28A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 740pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.5W (Ta), 56W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

あなたも興味があるかもしれません