[12841個在庫]
- 品番:
- IRFI1310N
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFI1310N electronic components. IRFI1310N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI1310N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI1310N 製品の属性
品番 :
IRFI1310N
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
24A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
36 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
56W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB Full-Pak
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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