Nexperia USA Inc. - PHK04P02T,518

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PHK04P02T,518 価格設定(USD) [1476個在庫]

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品番:
PHK04P02T,518
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
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PHK04P02T,518 製品の属性

品番 : PHK04P02T,518
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 16V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.66A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 600mV @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7.2nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 528pF @ 12.8V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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