技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
10A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
112 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
8nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
650pF @ 20V
消費電力(最大) :
1W (Ta), 15W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ :
IPAK/TP
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA