[105個在庫]
- 品番:
- BSS119 E7796
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSS119 E7796 electronic components. BSS119 E7796 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS119 E7796, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSS119 E7796 製品の属性
品番 :
BSS119 E7796
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
170mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
78pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
360mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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