IXTH22N50P 価格設定（USD） [25497個在庫]
- 1 pcs$1.78682
- 30 pcs$1.77793
- 品番:
- IXTH22N50P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTH22N50P electronic components. IXTH22N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH22N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH22N50P 製品の属性
品番 :
IXTH22N50P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
シリーズ :
PolarHV™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
270 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2630pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
350W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース :
TO-247-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NP40N10VDF-E1-AY
- FDS8449-F085P
- SIR802DP-T1-GE3
- NVMFS5885NLT1G
- HAT2131R-EL-E
- IPU60R950C6AKMA1
- RJK5013DPE-00#J3
- SI4860DY-T1-E3
- IRFH8337TR2PBF
- IPP120N06S4H1AKSA1
- FDS7760A
- 5X49_BG7002B
- NTMS4706NR2
- IXFH23N80Q
- FQP19N20CTSTU
- FDU068AN03L
- FDU8874
- FDS3570
- NDS336P
- NTMS3P03R2G
- NTD23N03R-1G
- IRLR3715TRLPBF
- IRF7451PBF
- TSM6NB60CZ C0G
- NTD60N02RT4
- IRF7807VD1
- SI4410DY
- IRFI744G
- STP12NM60N
- IPL65R070C7AUMA1
- IPP60R120P7XKSA1
- SPA21N50C3XKSA1
- R5011ANJTL
- AOV11S60
- RRH140P03GZETB
- PSMNR70-30YLHX
- IPD65R650CEAUMA1
- BUK7M8R0-40EX
- IRLHS6342TRPBF
- NX138BKR