説明 :
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
1.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
17.8nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
450pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63