IXYS - IXTY1R4N100P

KEY Part #: K6395011

IXTY1R4N100P 価格設定(USD) [49877個在庫]

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品番:
IXTY1R4N100P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY1R4N100P 製品の属性

品番 : IXTY1R4N100P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
シリーズ : Polar™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17.8nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 450pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 63W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63