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- 品番:
- BUK652R1-30C,127
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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BUK652R1-30C,127 製品の属性
品番 :
BUK652R1-30C,127
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.8V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
168nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10918pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
263W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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