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- 品番:
- PMN34UN,135
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PMN34UN,135 electronic components. PMN34UN,135 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN34UN,135, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMN34UN,135 製品の属性
品番 :
PMN34UN,135
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
46 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
700mV @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.9nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
790pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.75W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP
パッケージ/ケース :
SC-74, SOT-457
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