IXTA08N100D2 価格設定（USD） [50279個在庫]
- 1 pcs$0.85711
- 10 pcs$0.77265
- 100 pcs$0.62088
- 500 pcs$0.48291
- 1,000 pcs$0.40012
- 品番:
- IXTA08N100D2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTA08N100D2 electronic components. IXTA08N100D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA08N100D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA08N100D2 製品の属性
品番 :
IXTA08N100D2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
800mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14.6nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
325pF @ 25V
FET機能 :
Depletion Mode
消費電力（最大） :
60W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NP40N10VDF-E1-AY
- FDS8449-F085P
- SIR802DP-T1-GE3
- NVMFS5885NLT1G
- HAT2131R-EL-E
- IPU60R950C6AKMA1
- RJK5013DPE-00#J3
- SI4860DY-T1-E3
- IRFH8337TR2PBF
- IPP120N06S4H1AKSA1
- FDS7760A
- 5X49_BG7002B
- NTMS4706NR2
- IXFH23N80Q
- FQP19N20CTSTU
- FDU068AN03L
- FDU8874
- FDS3570
- NDS336P
- NTMS3P03R2G
- NTD23N03R-1G
- IRLR3715TRLPBF
- IRF7451PBF
- TSM6NB60CZ C0G
- NTD60N02RT4
- IRF7807VD1
- SI4410DY
- IRFI744G
- STP12NM60N
- IPL65R070C7AUMA1
- IPP60R120P7XKSA1
- SPA21N50C3XKSA1
- R5011ANJTL
- AOV11S60
- RRH140P03GZETB
- PSMNR70-30YLHX
- IPD65R650CEAUMA1
- BUK7M8R0-40EX
- IRLHS6342TRPBF
- NX138BKR