DMN2010UDZ-7 価格設定（USD） [217086個在庫]
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- 品番:
- DMN2010UDZ-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2010UDZ-7 electronic components. DMN2010UDZ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2010UDZ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2010UDZ-7 製品の属性
品番 :
DMN2010UDZ-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
24V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33.2nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2665pF @ 10V
パワー-最大 :
700mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2535-6
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