DMN2010UDZ-7 価格設定（USD） [217086個在庫]
- 1 pcs$0.17038
- 3,000 pcs$0.15140
- 品番:
- DMN2010UDZ-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2010UDZ-7 electronic components. DMN2010UDZ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2010UDZ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2010UDZ-7 製品の属性
品番 :
DMN2010UDZ-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
24V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33.2nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2665pF @ 10V
パワー-最大 :
700mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2535-6
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- GMM3X120-0075X2-SMDSAM
- DMN4031SSDQ-13
- APTM100VDA35T3G
- SI5515DC-T1-GE3
- SI4650DY-T1-E3
- PHKD3NQ10T,518
- FDPC1002S
- BSO4804HUMA2
- NTJD2152PT4
- RJM0603JSC-00#12
- UPA2373T1P-E4-A
- MP6K12TCR
- ECH8653-TL-H
- SI4967DY-T1-GE3
- SI4952DY-T1-E3
- SI1970DH-T1-GE3
- FDY3001NZ
- DMC3018LSD-13
- APTM50TDUM65PG
- SI1905DL-T1-E3
- SI1024X-T1-E3
- NTJD4401NT4
- MMDF2P02ER2G
- HUF76407DK8T
- ZXMD63P03XTC
- FDM3300NZ
- NTTD1P02R2G
- IRF7530PBF
- SP8K1TB
- NTTD1P02R2
- BSS8402DW-7
- IRF5810TR
- IRF9953TR
- NDS9957
- NDS9936
- NTMFD4C88NT3G
- IRFH7911TRPBF
- SIRB40DP-T1-GE3
- TPC8223-H,LQ(S
- IRFHM8363TRPBF