DMN21D1UDA-7B 価格設定（USD） [781102個在庫]
- 1 pcs$0.04735
- 品番:
- DMN21D1UDA-7B
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN21D1UDA-7B electronic components. DMN21D1UDA-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN21D1UDA-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN21D1UDA-7B 製品の属性
品番 :
DMN21D1UDA-7B
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
455mA (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.41nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
31pF @ 15V
パワー-最大 :
310mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-SMD, No Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
X2-DFN0806-6
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