STD30N10F7 価格設定（USD） [115756個在庫]
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- 品番:
- STD30N10F7
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 30A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STD30N10F7 electronic components. STD30N10F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD30N10F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD30N10F7 製品の属性
品番 :
STD30N10F7
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 100V 30A DPAK
シリーズ :
DeepGATE™, STripFET™ VII
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
24 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1270pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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