SI4477DY-T1-GE3 価格設定（USD） [135773個在庫]
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- 品番:
- SI4477DY-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4477DY-T1-GE3 electronic components. SI4477DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4477DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4477DY-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI4477DY-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
26.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.2 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4600pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3W (Ta), 6.6W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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