説明 :
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
1A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
13 Ohm @ 500mA, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
3.8nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
65pF @ 20V
消費電力(最大) :
1W (Ta), 38W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK/TP-FA
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63