Infineon Technologies - IRLR3705Z

KEY Part #: K6412357

[13472個在庫]


    品番:
    IRLR3705Z
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRLR3705Z electronic components. IRLR3705Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3705Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR3705Z 製品の属性

    品番 : IRLR3705Z
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 42A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8 mOhm @ 42A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 66nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±16V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2900pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 130W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2307Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2607Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR1010Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.