QS8J12TCR 価格設定（USD） [307130個在庫]
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- 品番:
- QS8J12TCR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor QS8J12TCR electronic components. QS8J12TCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS8J12TCR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
QS8J12TCR 製品の属性
品番 :
QS8J12TCR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate, 1.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
40nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4200pF @ 6V
パワー-最大 :
550mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSMT8
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