Vishay Siliconix - SI7252DP-T1-GE3

KEY Part #: K6525136

SI7252DP-T1-GE3 価格設定(USD) [84291個在庫]

  • 1 pcs$0.46388
  • 3,000 pcs$0.43461

品番:
SI7252DP-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI7252DP-T1-GE3 electronic components. SI7252DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7252DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7252DP-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI7252DP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 36.7A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 27nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1170pF @ 50V
パワー-最大 : 46W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8 Dual

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • SIL2301-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNELMOSFETSSOT23-6L PACKA.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • SI6926ADQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.