ON Semiconductor - RFD10P03LSM

KEY Part #: K6413442

[13099個在庫]


    品番:
    RFD10P03LSM
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor RFD10P03LSM electronic components. RFD10P03LSM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFD10P03LSM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RFD10P03LSM 製品の属性

    品番 : RFD10P03LSM
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 200 mOhm @ 10A, 5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs(最大) : -
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1035pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : -
    動作温度 : -
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252-3
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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