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- 品番:
- IRF5802TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5802TR electronic components. IRF5802TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5802TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5802TR 製品の属性
品番 :
IRF5802TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
900mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
88pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Micro6™(TSOP-6)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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