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Microsemi Corporation - APT20M22B2VFRG

KEY Part #: K6413331

[8413個在庫]

    品番:
    APT20M22B2VFRG
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APT20M22B2VFRG electronic components. APT20M22B2VFRG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT20M22B2VFRG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT20M22B2VFRG 製品の属性

    品番 : APT20M22B2VFRG
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
    シリーズ : POWER MOS V®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 100A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 22 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 2.5mA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 435nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 10200pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 520W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
    パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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