IXTA3N100D2HV 価格設定（USD） [31249個在庫]
- 1 pcs$1.31884
- 品番:
- IXTA3N100D2HV
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTA3N100D2HV electronic components. IXTA3N100D2HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA3N100D2HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA3N100D2HV 製品の属性
品番 :
IXTA3N100D2HV
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
0V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
37.5nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1020pF @ 25V
FET機能 :
Depletion Mode
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263HV
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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