IXTA05N100 価格設定（USD） [34636個在庫]
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- 品番:
- IXTA05N100
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTA05N100 electronic components. IXTA05N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA05N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA05N100 製品の属性
品番 :
IXTA05N100
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
750mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
260pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
40W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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