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ON Semiconductor - FDMS039N08B

KEY Part #: K6397551

FDMS039N08B 価格設定（USD） [80708個在庫]

  • 1 pcs$0.48447
  • 3,000 pcs$0.46566
品番:
FDMS039N08B
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMS039N08B electronic components. FDMS039N08B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS039N08B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS039N08B 製品の属性

品番 : FDMS039N08B
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 19.4A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 7600pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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