TPN2R805PL,L1Q 価格設定（USD） [231947個在庫]
- 1 pcs$0.15947
- 品番:
- TPN2R805PL,L1Q
- 詳細な説明:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q electronic components. TPN2R805PL,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN2R805PL,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPN2R805PL,L1Q 製品の属性
品番 :
TPN2R805PL,L1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
シリーズ :
U-MOSIX-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
45V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
139A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 300µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3.2nF @ 22.5V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.67W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 :
175°C
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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