Infineon Technologies - IRLR8259TRPBF

KEY Part #: K6420593

IRLR8259TRPBF 価格設定(USD) [216233個在庫]

  • 1 pcs$0.17105
  • 2,000 pcs$0.15140

品番:
IRLR8259TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRLR8259TRPBF electronic components. IRLR8259TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR8259TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR8259TRPBF 製品の属性

品番 : IRLR8259TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 57A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.7 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 900pF @ 13V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 48W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません