FDC2612 価格設定（USD） [253170個在庫]
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- 品番:
- FDC2612
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDC2612 electronic components. FDC2612 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC2612, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDC2612 製品の属性
品番 :
FDC2612
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
234pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.6W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SuperSOT™-6
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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