説明 :
MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
34.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
7.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
48nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1935pF @ 100V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8