SIRA12BDP-T1-GE3 価格設定（USD） [307949個在庫]
- 1 pcs$0.12011
- 品番:
- SIRA12BDP-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHAN 30V.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIRA12BDP-T1-GE3 electronic components. SIRA12BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA12BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIRA12BDP-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIRA12BDP-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CHAN 30V
シリーズ :
TrenchFET® Gen IV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
27A (Ta), 60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs（最大） :
+20V, -16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1470pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W (Ta), 38W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8
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