ON Semiconductor - FDME410NZT

KEY Part #: K6395253

FDME410NZT 価格設定(USD) [307503個在庫]

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品番:
FDME410NZT
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDME410NZT 製品の属性

品番 : FDME410NZT
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 26 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1025pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : MicroFet 1.6x1.6 Thin
パッケージ/ケース : 6-PowerUFDFN