Diodes Incorporated - 2N7002T-7

KEY Part #: K6413296

[13149個在庫]


    品番:
    2N7002T-7
    メーカー:
    Diodes Incorporated
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Diodes Incorporated 2N7002T-7 electronic components. 2N7002T-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002T-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N7002T-7 製品の属性

    品番 : 2N7002T-7
    メーカー : Diodes Incorporated
    説明 : MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
    シリーズ : -
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 115mA (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.5 Ohm @ 50mA, 5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 50pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 150mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-523
    パッケージ/ケース : SOT-523

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • IRFR3910CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.

    • IRFR3303CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.