PMCM650VNEZ 価格設定（USD） [2723個在庫]
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- 品番:
- PMCM650VNEZ
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 12V 4WLCSP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMCM650VNEZ electronic components. PMCM650VNEZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMCM650VNEZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMCM650VNEZ 製品の属性
品番 :
PMCM650VNEZ
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1060pF @ 6V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-WLCSP (1.48x.98)
パッケージ/ケース :
6-XFBGA, WLCSP
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