Infineon Technologies - IPB020N10N5ATMA1

KEY Part #: K6401992

IPB020N10N5ATMA1 価格設定(USD) [27413個在庫]

  • 1 pcs$1.50341
  • 1,000 pcs$1.37928

品番:
IPB020N10N5ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPB020N10N5ATMA1 electronic components. IPB020N10N5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB020N10N5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB020N10N5ATMA1 製品の属性

品番 : IPB020N10N5ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.8V @ 270µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 210nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 15600pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 375W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.