BS107PSTZ 価格設定（USD） [254929個在庫]
- 1 pcs$0.14509
- 品番:
- BS107PSTZ
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated BS107PSTZ electronic components. BS107PSTZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS107PSTZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BS107PSTZ 製品の属性
品番 :
BS107PSTZ
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.6V, 5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
85pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
E-Line (TO-92 compatible)
パッケージ/ケース :
E-Line-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AON4705L
- IPP084N06L3GHKSA1
- IPL60R255P6AUMA1
- GP1M007A065CG
- RJK2508DPK-00#T0
- SUP75N03-04-E3
- IXFX38N80Q2
- AOT12N65
- 2N7002E
- VN2410LZL1G
- IPB16CN10N G
- IRF7805QTRPBF
- NTD4857NT4G
- SI7485DP-T1-E3
- NTD4302
- NTB75N06L
- HUF75343P3
- IXFH40N50Q
- FCA16N60
- NTB13N10T4G
- NTB30N06LT4
- SPA11N60C3IN
- IRFSL59N10D
- IRFBC30AS
- IRFSL4127PBF
- IPB160N08S403ATMA1
- BSC093N15NS5ATMA1
- IPP100N08S207AKSA1
- AUIRF4104
- STP80NF55-08
- TK18E10K3,S1X(S
- SIHP7N60E-E3
- SIR640ADP-T1-GE3
- BSC009NE2LS5IATMA1
- PSMN8R0-80YLX
- IRF7807TRPBF
- BSC060P03NS3EGATMA1
- RSD050N10TL
- SI1078X-T1-GE3
- SSM3J325F,LF