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- 品番:
- BSP318S E6327
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSP318S E6327 electronic components. BSP318S E6327 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP318S E6327, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP318S E6327 製品の属性
品番 :
BSP318S E6327
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 20µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
380pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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