現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
  5. FDD8586

ON Semiconductor - FDD8586

KEY Part #: K6410008

[85個在庫]

    品番:
    FDD8586
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDD8586 electronic components. FDD8586 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD8586, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD8586 製品の属性

    品番 : FDD8586
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 35A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 5.5 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 48nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2480pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 77W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252AA
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    最新ニュース

    ON Semiconductor FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET
    ON Semiconductor NVTFS010N10MCL 100V 53A Automotive Power MOSFET
    ON Semiconductor FSB50250B & FSB50250BS Motion SPM® 5 Modules
    ON Semiconductor FSL538AFLYGEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor NVMFD6H852NL 80V 25A Automotive Power MOSFET
    ON Semiconductor NCP171 LDO Regulator
    ON Semiconductor NCL2801LED1GEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
    ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
    ON Semiconductor NCP187 1.2A Low Dropout Linear Voltage Regulator
    ON Semiconductor LV8549MCGEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor LV8716QAGEVK Evaluation Kit
    あなたも興味があるかもしれません
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    ホットパーツ