現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
  5. FCD4N60TF

ON Semiconductor - FCD4N60TF

KEY Part #: K6410010

[83個在庫]

    品番:
    FCD4N60TF
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FCD4N60TF electronic components. FCD4N60TF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD4N60TF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FCD4N60TF 製品の属性

    品番 : FCD4N60TF
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
    シリーズ : SuperFET™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.9A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 16.6nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 540pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 50W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    最新ニュース

    ON Semiconductor FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET
    ON Semiconductor FUSB308BV USB Type-C® Port Controller with USB-PD
    ON Semiconductor FUSB380C Autonomous USB Type-C® Cable Marker
    ON Semiconductor FSA515 Depletion Switch
    ON Semiconductor NVTFS010N10MCL 100V 53A Automotive Power MOSFET
    ON Semiconductor LFPAK4 Industrial Power MOSFETs
    ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
    ON Semiconductor FSB50250B & FSB50250BS Motion SPM® 5 Modules
    ON Semiconductor NCL2801LED1GEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor FSL538AFLYGEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET
    ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
    あなたも興味があるかもしれません
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    ホットパーツ