技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
1A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
450 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
1.9nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
127pF @ 10V
消費電力(最大) :
360mW (Ta), 3.125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1006-3
パッケージ/ケース :
SC-101, SOT-883