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- 品番:
- SI4500BDY-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4500BDY-T1-GE3 electronic components. SI4500BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4500BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4500BDY-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI4500BDY-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel, Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.6A, 3.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.3W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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