[3973個在庫]
- 品番:
- SI4967DY-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4967DY-T1-E3 electronic components. SI4967DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4967DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4967DY-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI4967DY-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
55nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FF8MR12W2M1B11BOMA1
- VMM650-01F
- FS45MR12W1M1B11BOMA1
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
- APTC80DSK15T3G
- EMH2308-TL-H
- NVMFD5853NWFT1G
- FDD8424H-F085A
- VQ1001P
- SI7270DP-T1-GE3
- AON6971
- AON7932
- APTJC120AM13VCT1AG
- ECH8664R-TL-H
- SI6967DQ-T1-E3
- SI4940DY-T1-E3
- SI4569DY-T1-GE3
- SI4992EY-T1-GE3
- IPG15N06S3L-45
- BSD235N L6327
- GWM220-004P3-SMD
- SI7948DP-T1-GE3
- IRF7103QTRPBF
- APTM20DUM10TG
- FDZ2553NZ
- FDW2511NZ
- FDS8934A
- IRF7757TR
- IRF7331
- IRF7379TR
- PHN210T,118
- BSG0810NDIATMA1
- SQJ204EP-T1_GE3
- BSC072N03LDGATMA1
- IPG20N04S4L08AATMA1
- SH8K15TB1
- SQJB68EP-T1_GE3
- QS8J1TR
- SSM6L16FETE85LF
- SSM6N35FE,LM