Infineon Technologies - BSF134N10NJ3GXUMA1

KEY Part #: K6419527

BSF134N10NJ3GXUMA1 価格設定(USD) [116513個在庫]

  • 1 pcs$0.31745

品番:
BSF134N10NJ3GXUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1 electronic components. BSF134N10NJ3GXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSF134N10NJ3GXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSF134N10NJ3GXUMA1 製品の属性

品番 : BSF134N10NJ3GXUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 40µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2300pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.2W (Ta), 43W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース : 3-WDSON

あなたも興味があるかもしれません