SI7972DP-T1-GE3 価格設定（USD） [178762個在庫]
- 1 pcs$0.20691
- 3,000 pcs$0.19429
- 品番:
- SI7972DP-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7972DP-T1-GE3 electronic components. SI7972DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7972DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7972DP-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI7972DP-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.7V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1050pF @ 30V
パワー-最大 :
22W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FF8MR12W2M1B11BOMA1
- VMM650-01F
- FS45MR12W1M1B11BOMA1
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
- APTC80DSK15T3G
- EMH2308-TL-H
- NVMFD5853NWFT1G
- FDD8424H-F085A
- VQ1001P
- SI7270DP-T1-GE3
- AON6971
- AON7932
- APTJC120AM13VCT1AG
- ECH8664R-TL-H
- SI6967DQ-T1-E3
- SI4940DY-T1-E3
- SI4569DY-T1-GE3
- SI4992EY-T1-GE3
- IPG15N06S3L-45
- BSD235N L6327
- GWM220-004P3-SMD
- SI7948DP-T1-GE3
- IRF7103QTRPBF
- APTM20DUM10TG
- FDZ2553NZ
- FDW2511NZ
- FDS8934A
- IRF7757TR
- IRF7331
- IRF7379TR
- PHN210T,118
- BSG0810NDIATMA1
- SQJ204EP-T1_GE3
- BSC072N03LDGATMA1
- IPG20N04S4L08AATMA1
- SH8K15TB1
- SQJB68EP-T1_GE3
- QS8J1TR
- SSM6L16FETE85LF
- SSM6N35FE,LM