説明 :
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2.5A (Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
6.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
427pF @ 15V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-WDFN (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad